Corial 360IL是一种大面积等离子体蚀刻系统，可提供高吞吐量，而不会影响工艺性能或质量。360IL是基于CORIAL的最新一代ICP (电感耦合等离子体)源。该系统采用高密度等离子体，2MHz的ICP射频发生器，和国家的最先进的气体注入，允许快速的蚀刻速率和优异的均匀性。具有真空负载锁，Cori360IL提供稳定的工艺条件，短的泵周期，并提供能力运行氟化和氯化的化工厂在同一工具。我们的PSS工艺提供完美的锥形特征，即使在芯片边缘，也具有行业领先的均匀性和可重复性。对于MEMS和功率器件市场，Corial360ILICP-RIE系统能够处理广泛的材料，包括硅、氧化物、氮化物和II-V族化合物半导体。

产品优势

• 工艺灵活性
  射频匹配盒工作范围(100W到2000W)支持广泛的客户应用
  真空负载锁可在同一工具中同时使用氟化和氯化化学物质
• 优异的均匀性
  高密度等离子体可实现高统一PSS型材
  带顶部气体入口的优化气体喷头
• 高蚀刻速率能力
  壁面温度>250°C;ICP最大功率:射频最大功率:1000W;射频耦合到等离子体的高效率
  快速均匀刻蚀: 砷化 (500纳米/分钟)，蓝宝石 (75纳米/分钟 ，氮化家(200纳米/分钟)···最佳重复性
• 优化的长寿命穿梭机
  PSS专用石英梭 (载体)设计，边缘效应《1mm
  石英载体寿命>5,000次试验
• 高吞吐量
  大批量生产能力:23X2英寸，7X4英寸，3英寸
  PSS的吞吐量>8WPH 应用程序使用4“基材
• 最佳重复性
  负载锁定，工艺条件稳定且可重复
  新颖的阴极设计和高效的航天飞机的氨气背面冷却，且在蚀刻过程中温度控制(从-50°C起)，衬底保证均匀

ICP-RIE技术

ICP-RIE 蚀刻基于电感耦合等离子体源的使用。

由于射频天线和等离子体之间的感应耦合，ICP 源产生高密度等离子体。天线位于等离子体生成区域，可产生交变射频磁场并感应射频电场，从而为参与低压下气体分子和原子电离的电子提供能量。由于反应堆壁附近不存在电场，因此实际上不会对反应堆壁进行离子轰击或腐蚀。

ICP RIE 和 RIE 之间的主要区别在于连接到阴极的独立 ICP RF 电源，该电源产生 DC 偏压并将离子吸引到晶圆上。因此，利用 ICP RIE 技术，可以解耦施加到晶圆上的离子电流和离子能量，从而扩大工艺窗口。

在低压条件下使用化学反应等离子体蚀刻材料，可能与离子诱导蚀刻相结合。